- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11563 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM
Détention brevets de la classe H01L 27/11563
Brevets de cette classe: 118
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 9847 |
18 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
13 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
12 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 297 |
12 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
11 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
6 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
5 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
5 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
5 |
| Cypress Semiconductor Corporation | 1642 |
3 |
| Becsis, LLC | 6 |
3 |
| Infineon Technologies LLC | 597 |
3 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 952 |
2 |
| eMemory Technology Inc. | 358 |
2 |
| Monterey Research, LLC | 656 |
2 |
| Versum Materials US, LLC | 591 |
2 |
| Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation | 388 |
2 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
1 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
1 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
1 |
| Autres propriétaires | 9 |